Numero di Prodotto del Fabbricante:
PJD10N10_L2_00001
Product Overview
Produttore:
Panjit International Inc.
Numero di Parte:
PJD10N10_L2_00001-DG
Descrizione:
100V N-CHANNEL MOSFET
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 2.6A (Ta), 34.7A (Tc) 2W (Ta), 34.7W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventario:
12971827
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PJD10N10_L2_00001 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
PANJIT
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
2.6A (Ta), 34.7A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
707 pF @ 30 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2W (Ta), 34.7W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-252
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base
PJD10
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
3757-PJD10N10_L2_00001CT
3757-PJD10N10_L2_00001DKR
3757-PJD10N10_L2_00001TR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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