Numero di Prodotto del Fabbricante:
RFD4N06LSM9A
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
RFD4N06LSM9A-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 4A TO252AA
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 60 V 4A (Tc) 30W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventario:
12858200
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RFD4N06LSM9A Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 1A, 5V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±10V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
30W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-252AA
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base
RFD4N
Scheda dati e documenti
Scheda Dati HTML
Schede dati
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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