Numero di Prodotto del Fabbricante:
NXH200T120H3Q2F2STG
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
NXH200T120H3Q2F2STG-DG
Descrizione:
80KW GEN-II Q2PACK-200A MODULE (
Descrizione Dettagliata:
IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 330 A 679 W Chassis Mount 56-PIM/Q2PACK (93x47)
Inventario:
12979139
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NXH200T120H3Q2F2STG Specifiche Tecniche
Categoria
IGBTs, Moduli IGBT
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tray
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo IGBT
Trench Field Stop
Configurazione
Half Bridge
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
1200 V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
330 A
Potenza - Max
679 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.3V @ 15V, 200A
Corrente - Taglio collettore (max)
500 µA
Capacità di ingresso (Cies) @ vce
35.615 nF @ 25 V
Immissione
Standard
Termistore NTC
No
Temperatura
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Chassis Mount
Pacchetto / Custodia
Module
Pacchetto dispositivo fornitore
56-PIM/Q2PACK (93x47)
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
12
Altri nomi
488-NXH200T120H3Q2F2STG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
NXH200T120H3Q2F2SG
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
36
NUMERO DI PEZZO
NXH200T120H3Q2F2SG-DG
PREZZO UNITARIO
168.97
TIPO DI SOSTITUZIONE
Parametric Equivalent
Certificazione DIGI
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