Numero di Prodotto del Fabbricante:
NVMYS3D3N06CLTWG
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
NVMYS3D3N06CLTWG-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 26A/133A 4LFPAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 60 V 26A (Ta), 133A (Tc) 3.9W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount LFPAK4 (5x6)
Inventario:
12917758
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NVMYS3D3N06CLTWG Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
26A (Ta), 133A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
40.7 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2880 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.9W (Ta), 100W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
LFPAK4 (5x6)
Pacchetto / Custodia
SOT-1023, 4-LFPAK
Numero di prodotto di base
NVMYS3
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
NVMYS3D3N06CLTWGOS-DG
NVMYS3D3N06CLTWGOS
NVMYS3D3N06CLTWGOSDKR
NVMYS3D3N06CLTWGOSTR
NVMYS3D3N06CLTWGOSCT
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
NTMYS3D3N06CLTWG
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
2015
NUMERO DI PEZZO
NTMYS3D3N06CLTWG-DG
PREZZO UNITARIO
2.56
TIPO DI SOSTITUZIONE
Parametric Equivalent
Certificazione DIGI
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