Numero di Prodotto del Fabbricante:
NVMS5P02R2G
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
NVMS5P02R2G-DG
Descrizione:
MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 20 V 3.95A (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventario:
4555 Pz Nuovo Originale Disponibile
12843239
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NVMS5P02R2G Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
3.95A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
33mOhm @ 5.4A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1.25V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 4.5 V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1900 pF @ 16 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
-
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
8-SOIC
Pacchetto / Custodia
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numero di prodotto di base
NVMS5P02
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
NVMS5P02R2GOSDKR
NVMS5P02R2G-DG
2156-NVMS5P02R2G-OS
NVMS5P02R2GOSTR
NVMS5P02R2GOSCT
ONSONSNVMS5P02R2G
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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