Numero di Prodotto del Fabbricante:
NVMFWS0D4N04XMT1G
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
NVMFWS0D4N04XMT1G-DG
Descrizione:
40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 40 V 519A (Tc) 197W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)
Inventario:
12986571
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NVMFWS0D4N04XMT1G Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
40 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
519A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
0.42mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3.5V @ 330µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
138 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
8550 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
197W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
8-DFN (5x6)
Pacchetto / Custodia
8-PowerTDFN
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1,500
Altri nomi
488-NVMFWS0D4N04XMT1GDKR
488-NVMFWS0D4N04XMT1GCT
488-NVMFWS0D4N04XMT1GTR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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