NVMFS6H864NLT1G

Numero di Prodotto del Fabbricante:

NVMFS6H864NLT1G

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

NVMFS6H864NLT1G-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 80V 7A/22A 5DFN

Descrizione Dettagliata:

N-Channel 80 V 7A (Ta), 22A (Tc) 3.5W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Inventario:

1487 Pz Nuovo Originale Disponibile

12968583

Richiedi preventivo

Quantità
Minimo 1

(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore

INVIA

NVMFS6H864NLT1G Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore

onsemi

Imballaggio

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Stato del prodotto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss)

80 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

7A (Ta), 22A (Tc)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

29mOhm @ 5A, 10V

vgs(th) (massimo) @ id

2V @ 20µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs

9 nC @ 10 V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

431 pF @ 40 V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.5W (Ta), 33W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 175°C (TJ)

Grado

Automotive

Qualificazione

AEC-Q101

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN, 5 Leads

Numero di prodotto di base

NVMFS6

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Scheda Dati HTML

NVMFS6H864NLT1G-DG

Schede dati

NVMFS6H864NLT1G

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

1,500

Altri nomi

488-NVMFS6H864NLT1GDKR

488-NVMFS6H864NLT1GTR

488-NVMFS6H864NLT1GCT

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS

ROHS3 Compliant

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

1 (Unlimited)

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Modelli Alternativi

NUMERO DI PARTE

NTMFS6H864NLT1G

FABBRICANTE

onsemi

QUANTITÀ DISPONIBILE

1495

NUMERO DI PEZZO

NTMFS6H864NLT1G-DG

PREZZO UNITARIO

0.27

TIPO DI SOSTITUZIONE

Parametric Equivalent

NUMERO DI PARTE

RS6N120BHTB1

FABBRICANTE

Rohm Semiconductor

QUANTITÀ DISPONIBILE

1763

NUMERO DI PEZZO

RS6N120BHTB1-DG

PREZZO UNITARIO

1.14

TIPO DI SOSTITUZIONE

Similar

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Prodotti correlati

goford-semiconductor

2301H

MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT-23

renesas-electronics-america

2SK1283(1)-AZ

N-CHANNEL POWER MOSFET

nexperia

PMH400UNEH

MOSFET N-CH 30V 900MA DFN0606-3

renesas-electronics-america

2SJ605-ZJ-E1-AZ

P-CHANNEL POWER MOSFET