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Domande Frequenti
Numero di Prodotto del Fabbricante:
NVMFS6H852NWFT1G
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
NVMFS6H852NWFT1G-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 80V 10A/40A 5DFN
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 80 V 10A (Ta), 40A (Tc) 3.6W (Ta), 54W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Inventario:
RFQ Online
12858673
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NVMFS6H852NWFT1G Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
80 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
10A (Ta), 40A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14.2mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 45µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
760 pF @ 40 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.6W (Ta), 54W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount, Wettable Flank
Pacchetto dispositivo fornitore
5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Pacchetto / Custodia
8-PowerTDFN, 5 Leads
Numero di prodotto di base
NVMFS6
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
NVMFS6H852N
Scheda Dati HTML
NVMFS6H852NWFT1G-DG
Schede dati
NVMFS6H852NWFT1G
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1,500
Altri nomi
488-NVMFS6H852NWFT1GDKR
488-NVMFS6H852NWFT1GCT
NVMFS6H852NWFT1G-DG
488-NVMFS6H852NWFT1GTR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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