NVMFS003P03P8ZT1G
Numero di Prodotto del Fabbricante:

NVMFS003P03P8ZT1G

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

NVMFS003P03P8ZT1G-DG

Descrizione:

PFET SO8FL -30V 3MO
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 30 V 35.7A (Ta), 234A (Tc) 3.9W (Ta), 168.7W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Inventario:

1476 Pz Nuovo Originale Disponibile
13000881
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA

NVMFS003P03P8ZT1G Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
35.7A (Ta), 234A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.8mOhm @ 23A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
167 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
12120 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.9W (Ta), 168.7W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacchetto / Custodia
8-PowerTDFN, 5 Leads

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
1,500
Altri nomi
488-NVMFS003P03P8ZT1GCT
488-NVMFS003P03P8ZT1GTR
488-NVMFS003P03P8ZT1GDKR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelli Alternativi

NUMERO DI PARTE
NTMFS002P03P8ZT1G
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
2377
NUMERO DI PEZZO
NTMFS002P03P8ZT1G-DG
PREZZO UNITARIO
1.41
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
goford-semiconductor

G2014

N20V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX)<11M

onsemi

NTMFS5C645NT1G

60 V 4.5 M 94 A SINGLE N CHANNEL

goford-semiconductor

G40P03K

P-30V,RD(MAX)<9.5M@-10V,RD(MAX)<

microchip-technology

MSCSM120SKM31CTBL1NG

PM-MOSFET-SIC-SBD-BL1