NVMD4N03R2G
Numero di Prodotto del Fabbricante:

NVMD4N03R2G

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

NVMD4N03R2G-DG

Descrizione:

MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
Descrizione Dettagliata:
Mosfet Array 30V 4A 2W Surface Mount 8-SOIC

Inventario:

2456 Pz Nuovo Originale Disponibile
12924750
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NVMD4N03R2G Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET, Arrays di MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione
2 N-Channel (Dual)
Funzione FET
Logic Level Gate
Tensione da drain a source (Vdss)
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
400pF @ 20V
Potenza - Max
2W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore
8-SOIC
Numero di prodotto di base
NVMD4

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
NVMD4N03R2G-DG
488-NVMD4N03R2GCT
488-NVMD4N03R2GTR
488-NVMD4N03R2GDKR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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