NVH4L020N120SC1
Numero di Prodotto del Fabbricante:

NVH4L020N120SC1

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

NVH4L020N120SC1-DG

Descrizione:

SICFET N-CH 1200V 102A TO247
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 1200 V 102A (Tc) 510W (Tc) Through Hole TO-247-4L

Inventario:

862 Pz Nuovo Originale Disponibile
12938864
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NVH4L020N120SC1 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tube
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensione da drain a source (Vdss)
1200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
102A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
28mOhm @ 60A, 20V
vgs(th) (massimo) @ id
4.3V @ 20mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
220 nC @ 20 V
Vgs (massimo)
+25V, -15V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2943 pF @ 800 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
510W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-247-4L
Pacchetto / Custodia
TO-247-4
Numero di prodotto di base
NVH4L020

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
NVH4L020N120SC1
Scheda Dati HTML
NVH4L020N120SC1-DG
Schede dati
NVH4L020N120SC1

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
30
Altri nomi
488-NVH4L020N120SC1

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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