Numero di Prodotto del Fabbricante:
NVGS5120PT1G
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
NVGS5120PT1G-DG
Descrizione:
MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 60 V 1.8A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Inventario:
89490 Pz Nuovo Originale Disponibile
12939007
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NVGS5120PT1G Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
1.8A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
111mOhm @ 2.9A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
18.1 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
942 pF @ 30 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
600mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
6-TSOP
Pacchetto / Custodia
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Numero di prodotto di base
NVGS5120
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
NVGS5120PT1GOSCT
NVGS5120PT1GOSDKR
NVGS5120PT1G-DG
NVGS5120PT1GOSTR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
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