NVD5C434NT4G
Numero di Prodotto del Fabbricante:

NVD5C434NT4G

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

NVD5C434NT4G-DG

Descrizione:

MOSFET N-CHANNEL 40V 163A DPAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 40 V 163A (Tc) 117W (Tc) Surface Mount DPAK

Inventario:

2176 Pz Nuovo Originale Disponibile
12855959
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NVD5C434NT4G Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
40 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
163A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.1mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
80.6 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
5400 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
117W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
DPAK
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base
NVD5C434

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
NVD5C434NT4GOSCT
NVD5C434NT4GOSTR
NVD5C434NT4GOSDKR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelli Alternativi

NUMERO DI PARTE
TK100S04N1L,LQ
FABBRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÀ DISPONIBILE
3169
NUMERO DI PEZZO
TK100S04N1L,LQ-DG
PREZZO UNITARIO
1.08
TIPO DI SOSTITUZIONE
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