NVBGS4D1N15MC
Numero di Prodotto del Fabbricante:

NVBGS4D1N15MC

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

NVBGS4D1N15MC-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 150V 20A/185A D2PAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 150 V 20A (Ta), 185A (Tc) 3.7W (Ta), 316W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventario:

374 Pz Nuovo Originale Disponibile
12938253
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA

NVBGS4D1N15MC Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
150 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
20A (Ta), 185A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.1mOhm @ 104A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4.5V @ 574µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
88.9 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
7285 pF @ 75 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.7W (Ta), 316W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-263 (D2PAK)
Pacchetto / Custodia
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Numero di prodotto di base
NVBGS4

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
800
Altri nomi
488-NVBGS4D1N15MCCT
488-NVBGS4D1N15MCTR
2156-NVBGS4D1N15MC
488-NVBGS4D1N15MCDKR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelli Alternativi

NUMERO DI PARTE
NVBLS4D0N15MC
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
1869
NUMERO DI PEZZO
NVBLS4D0N15MC-DG
PREZZO UNITARIO
5.27
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
NUMERO DI PARTE
NTBGS4D1N15MC
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
NTBGS4D1N15MC-DG
PREZZO UNITARIO
2.73
TIPO DI SOSTITUZIONE
Parametric Equivalent
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
toshiba-semiconductor-and-storage

XK1R9F10QB,LXGQ

MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM

onsemi

NVH4L160N120SC1

SICFET N-CH 1200V 17.3A TO247

toshiba-semiconductor-and-storage

TJ20S04M3L,LXHQ

MOSFET P-CH 40V 20A DPAK

toshiba-semiconductor-and-storage

TJ15S06M3L,LXHQ

MOSFET P-CH 60V 15A DPAK