Numero di Prodotto del Fabbricante:
NVBG040N120M3S
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
NVBG040N120M3S-DG
Descrizione:
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 1200 V 57A (Tc) 263W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Inventario:
800 Pz Nuovo Originale Disponibile
13256175
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NVBG040N120M3S Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Tensione da drain a source (Vdss)
1200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
57A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
54mOhm @ 20A, 18V
vgs(th) (massimo) @ id
4.4V @ 10mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
75 nC @ 18 V
Vgs (massimo)
+22V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1700 pF @ 800 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
263W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
D2PAK-7
Pacchetto / Custodia
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
800
Altri nomi
488-NVBG040N120M3STR
488-NVBG040N120M3SDKR
488-NVBG040N120M3SCT
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
Certificazione DIGI
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