Numero di Prodotto del Fabbricante:
NVB190N65S3
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
NVB190N65S3-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 20A (Tc) 162W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventario:
12848144
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NVB190N65S3 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
SuperFET® III
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 430µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1605 pF @ 400 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
162W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-263 (D2PAK)
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base
NVB190
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
800
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
NVB190N65S3F
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
752
NUMERO DI PEZZO
NVB190N65S3F-DG
PREZZO UNITARIO
1.75
TIPO DI SOSTITUZIONE
Parametric Equivalent
Certificazione DIGI
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