NTY100N10G

Numero di Prodotto del Fabbricante:

NTY100N10G

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

NTY100N10G-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 100V 123A TO264

Descrizione Dettagliata:

N-Channel 100 V 123A (Tc) 313W (Tc) Through Hole TO-264

Inventario:

RFQ Online

12856899

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NTY100N10G Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore

onsemi

Imballaggio

-

Serie

-

Stato del prodotto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss)

100 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

123A (Tc)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 50A, 10V

vgs(th) (massimo) @ id

4V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs

350 nC @ 10 V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

10110 pF @ 25 V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

313W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-264

Pacchetto / Custodia

TO-264-3, TO-264AA

Numero di prodotto di base

NTY100

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Scheda Dati HTML

Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

25

Altri nomi

2156-NTY100N10G-ON

ONSONSNTY100N10G

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

1 (Unlimited)

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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