Numero di Prodotto del Fabbricante:
NTR2101PT1G
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
NTR2101PT1G-DG
Descrizione:
MOSFET P-CH 8V SOT23-3
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 8 V 3.7A (Ta) 960mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventario:
39386 Pz Nuovo Originale Disponibile
12856531
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NTR2101PT1G Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
8 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
3.7A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
52mOhm @ 3.5A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)
±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1173 pF @ 4 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
960mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-23-3 (TO-236)
Pacchetto / Custodia
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numero di prodotto di base
NTR2101
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
ONSONSNTR2101PT1G
NTR2101PT1GOSDKR
2832-NTR2101PT1GTR
2156-NTR2101PT1G-OS
NTR2101PT1GOSTR
NTR2101PT1GOSCT
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
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