Numero di Prodotto del Fabbricante:
NTP8G206NG
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
NTP8G206NG-DG
Descrizione:
GANFET N-CH 600V 17A TO220-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 600 V 17A (Tc) 96W (Tc) Through Hole TO-220
Inventario:
12842932
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NTP8G206NG Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
GaNFET (Gallium Nitride)
Tensione da drain a source (Vdss)
600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 11A, 8V
vgs(th) (massimo) @ id
2.6V @ 500µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
9.3 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)
±18V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
760 pF @ 480 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
96W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
NTP8G2
Scheda dati e documenti
Scheda Dati HTML
Schede dati
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
ONSONSNTP8G206NG
NTP8G206NGOS
2156-NTP8G206NG-ON
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
SIHP22N60E-GE3
FABBRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
SIHP22N60E-GE3-DG
PREZZO UNITARIO
1.67
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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