Numero di Prodotto del Fabbricante:
NTP165N65S3H
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
NTP165N65S3H-DG
Descrizione:
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 19A (Tc) 142W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventario:
523 Pz Nuovo Originale Disponibile
12950501
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NTP165N65S3H Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tube
Serie
SuperFET® III
Stato del prodotto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
165mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 1.6mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1808 pF @ 400 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
142W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220-3
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
488-NTP165N65S3H
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
MSJP20N65A-BP
FABBRICANTE
Micro Commercial Co
QUANTITÀ DISPONIBILE
30050
NUMERO DI PEZZO
MSJP20N65A-BP-DG
PREZZO UNITARIO
1.47
TIPO DI SOSTITUZIONE
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