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Numero di Prodotto del Fabbricante:
NTP082N65S3F
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
NTP082N65S3F-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 40A TO220-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 40A (Tc) 313W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventario:
RFQ Online
12860107
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NTP082N65S3F Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tube
Serie
FRFET®, SuperFET® II
Stato del prodotto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
82mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 4mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
3410 pF @ 400 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
313W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220-3
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
NTP082
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
NTP082N65S3F
Scheda Dati HTML
NTP082N65S3F-DG
Schede dati
NTP082N65S3F
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
NTP082N65S3FOS
NTP082N65S3F-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IXTP34N65X2
FABBRICANTE
IXYS
QUANTITÀ DISPONIBILE
152
NUMERO DI PEZZO
IXTP34N65X2-DG
PREZZO UNITARIO
3.26
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
NVHL082N65S3F
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
NVHL082N65S3F-DG
PREZZO UNITARIO
4.59
TIPO DI SOSTITUZIONE
Parametric Equivalent
Certificazione DIGI
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