Numero di Prodotto del Fabbricante:
NTMTS1D6N10MCTXG
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
NTMTS1D6N10MCTXG-DG
Descrizione:
SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 10
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 36A (Ta), 273A (Tc) 5W (Ta), 291W (Tc) Surface Mount 8-DFNW (8.3x8.4)
Inventario:
2970 Pz Nuovo Originale Disponibile
12966315
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NTMTS1D6N10MCTXG Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
36A (Ta), 273A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 650µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
106 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
7630 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
5W (Ta), 291W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
8-DFNW (8.3x8.4)
Pacchetto / Custodia
8-PowerTDFN
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
488-NTMTS1D6N10MCTXGDKR
488-NTMTS1D6N10MCTXGTR
488-NTMTS1D6N10MCTXGCT
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
NVMTS1D6N10MCTXG
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
9000
NUMERO DI PEZZO
NVMTS1D6N10MCTXG-DG
PREZZO UNITARIO
3.04
TIPO DI SOSTITUZIONE
Parametric Equivalent
Certificazione DIGI
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