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Domande Frequenti
Numero di Prodotto del Fabbricante:
NTMT125N65S3H
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
NTMT125N65S3H-DG
Descrizione:
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 171W (Tc) Surface Mount 4-TDFN (8x8)
Inventario:
3000 Pz Nuovo Originale Disponibile
12964910
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NTMT125N65S3H Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
SuperFET® III
Stato del prodotto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 2.1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2200 pF @ 400 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
171W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
4-TDFN (8x8)
Pacchetto / Custodia
4-PowerTSFN
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
NTMT125N65S3H
Scheda Dati HTML
NTMT125N65S3H-DG
Schede dati
NTMT125N65S3H
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
488-NTMT125N65S3HTR
488-NTMT125N65S3HDKR
488-NTMT125N65S3HCT
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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