Numero di Prodotto del Fabbricante:
NTMSD6N303R2SG
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
NTMSD6N303R2SG-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 30 V 6A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventario:
12848179
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NTMSD6N303R2SG Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
FETKY™
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
6A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
32mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
950 pF @ 24 V
Funzione FET
Schottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max)
2W (Ta)
Temperatura
-
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
8-SOIC
Pacchetto / Custodia
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numero di prodotto di base
NTMSD6
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
3 (168 Hours)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
RSH065N03TB1
FABBRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
RSH065N03TB1-DG
PREZZO UNITARIO
0.31
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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