NTMS7N03R2G

Numero di Prodotto del Fabbricante:

NTMS7N03R2G

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

NTMS7N03R2G-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 30V 4.8A 8SOIC

Descrizione Dettagliata:

N-Channel 30 V 4.8A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Inventario:

RFQ Online

12844913

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NTMS7N03R2G Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore

onsemi

Imballaggio

-

Serie

-

Stato del prodotto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss)

30 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

4.8A (Ta)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 7A, 10V

vgs(th) (massimo) @ id

3V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs

43 nC @ 10 V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

1190 pF @ 25 V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

800mW (Ta)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Numero di prodotto di base

NTMS7

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Scheda Dati HTML

Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

2,500

Altri nomi

NTMS7N03R2GOSCT

ONSONSNTMS7N03R2G

NTMS7N03R2GOSTR

NTMS7N03R2GOSDKR

NTMS7N03R2GOS

2156-NTMS7N03R2G-OS

NTMS7N03R2GOS-DG

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS

ROHS3 Compliant

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

1 (Unlimited)

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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