Numero di Prodotto del Fabbricante:
NTMS5P02R2SG
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
NTMS5P02R2SG-DG
Descrizione:
MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 20 V 3.95A (Ta) 790mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventario:
12856602
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NTMS5P02R2SG Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
3.95A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
33mOhm @ 5.4A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1.25V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)
±10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1900 pF @ 16 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
790mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
8-SOIC
Pacchetto / Custodia
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numero di prodotto di base
NTMS5P
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
2156-NTMS5P02R2SG-ONTR
NTMS5P02R2SGOSTR
NTMS5P02R2SG-DG
=NTMS5P02R2SGOSCT-DG
NTMS5P02R2SGOSCT
ONSONSNTMS5P02R2SG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
NTMS5P02R2G
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
2315
NUMERO DI PEZZO
NTMS5P02R2G-DG
PREZZO UNITARIO
0.30
TIPO DI SOSTITUZIONE
Parametric Equivalent
Certificazione DIGI
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