NTMS3P03R2

Numero di Prodotto del Fabbricante:

NTMS3P03R2

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

NTMS3P03R2-DG

Descrizione:

MOSFET P-CH 30V 2.34A 8SOIC

Descrizione Dettagliata:

P-Channel 30 V 2.34A (Ta) 730mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Inventario:

RFQ Online

12856435

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NTMS3P03R2 Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore

onsemi

Imballaggio

-

Serie

-

Stato del prodotto

Obsolete

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss)

30 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

2.34A (Ta)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

85mOhm @ 3.05A, 10V

vgs(th) (massimo) @ id

2.5V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs

25 nC @ 10 V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

750 pF @ 24 V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

730mW (Ta)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Numero di prodotto di base

NTMS3P

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Scheda Dati HTML

Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

2,500

Altri nomi

ONSONSNTMS3P03R2

2156-NTMS3P03R2-ONTR

NTMS3P03R2OS

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS

RoHS non-compliant

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

1 (Unlimited)

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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