NTMS3P03R2
Numero di Prodotto del Fabbricante:

NTMS3P03R2

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

NTMS3P03R2-DG

Descrizione:

MOSFET P-CH 30V 2.34A 8SOIC
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 30 V 2.34A (Ta) 730mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Inventario:

12856435
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NTMS3P03R2 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
2.34A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
85mOhm @ 3.05A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
750 pF @ 24 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
730mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
8-SOIC
Pacchetto / Custodia
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numero di prodotto di base
NTMS3P

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
ONSONSNTMS3P03R2
2156-NTMS3P03R2-ONTR
NTMS3P03R2OS

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
RoHS non-compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
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