Numero di Prodotto del Fabbricante:
NTMFS5832NLT1G
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
NTMFS5832NLT1G-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 40V 20A/111A 5DFN
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 40 V 20A (Ta), 111A (Tc) 3.1W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Inventario:
12859796
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NTMFS5832NLT1G Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
40 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
20A (Ta), 111A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.2mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2700 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.1W (Ta), 96W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacchetto / Custodia
8-PowerTDFN, 5 Leads
Numero di prodotto di base
NTMFS5832
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1,500
Altri nomi
NTMFS5832NLT1G-DG
NTMFS5832NLT1GOSDKR
2156-NTMFS5832NLT1G-OS
ONSONSNTMFS5832NLT1G
NTMFS5832NLT1GOSTR
NTMFS5832NLT1GOSCT
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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