Numero di Prodotto del Fabbricante:
NTMFS4H02NT1G
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
NTMFS4H02NT1G-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 25V 37A/193A 5DFN
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 25 V 37A (Ta), 193A (Tc) 3.13W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Inventario:
12857949
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NTMFS4H02NT1G Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
25 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
37A (Ta), 193A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.1V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
38.5 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2651 pF @ 12 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.13W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacchetto / Custodia
8-PowerTDFN, 5 Leads
Numero di prodotto di base
NTMFS4
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1,500
Altri nomi
ONSONSNTMFS4H02NT1G
2156-NTMFS4H02NT1G-OS
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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