NTMD2C02R2G

Numero di Prodotto del Fabbricante:

NTMD2C02R2G

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

NTMD2C02R2G-DG

Descrizione:

MOSFET N/P-CH 20V 5.2A 8SOIC

Descrizione Dettagliata:

Mosfet Array 20V 5.2A, 3.4A 2W Surface Mount 8-SOIC

Inventario:

RFQ Online

12857787

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NTMD2C02R2G Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET, Arrays di MOSFET

Produttore

onsemi

Imballaggio

-

Serie

-

Stato del prodotto

Obsolete

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Configurazione

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione da drain a source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

5.2A, 3.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

43mOhm @ 4A, 4.5V

vgs(th) (massimo) @ id

1.2V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

1100pF @ 10V

Potenza - Max

2W

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

Numero di prodotto di base

NTMD2C

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Scheda Dati HTML

Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

2,500

Altri nomi

2156-NTMD2C02R2G-ONTR

ONSONSNTMD2C02R2G

NTMD2C02R2GOS

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

1 (Unlimited)

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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