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Domande Frequenti
Numero di Prodotto del Fabbricante:
NTK3139PT1G
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
NTK3139PT1G-DG
Descrizione:
MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 20 V 660mA (Ta) 310mW (Ta) Surface Mount SOT-723
Inventario:
86189 Pz Nuovo Originale Disponibile
12858185
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NTK3139PT1G Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
660mA (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
480mOhm @ 780mA, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1.2V @ 250µA
Vgs (massimo)
±6V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
170 pF @ 16 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
310mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-723
Pacchetto / Custodia
SOT-723
Numero di prodotto di base
NTK3139
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
NTK3139P
Scheda Dati HTML
NTK3139PT1G-DG
Schede dati
NTK3139PT1G
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
4,000
Altri nomi
ONSONSNTK3139PT1G
NTK3139PT1GOSTR
NTK3139PT1GOSCT
2156-NTK3139PT1G-OS
NTK3139PT1GOSDKR
NTK3139PT1G-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
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