Numero di Prodotto del Fabbricante:
NTHS5402T1
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
NTHS5402T1-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 30 V 4.9A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount ChipFET™
Inventario:
12857138
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NTHS5402T1 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
4.9A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
35mOhm @ 4.9A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
1V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1.3W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
ChipFET™
Pacchetto / Custodia
8-SMD, Flat Lead
Numero di prodotto di base
NTHS54
Scheda dati e documenti
Scheda Dati HTML
Schede dati
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
2156-NTHS5402T1
ONSONSNTHS5402T1
NTHS5402T1OS
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
RoHS non-compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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