Numero di Prodotto del Fabbricante:
NTHS4166NT1G
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
NTHS4166NT1G-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 30 V 4.9A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount ChipFET™
Inventario:
461 Pz Nuovo Originale Disponibile
12860637
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NTHS4166NT1G Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Cut Tape (CT)
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
4.9A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
22mOhm @ 4.9A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.3V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
900 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
800mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
ChipFET™
Pacchetto / Custodia
8-SMD, Flat Lead
Numero di prodotto di base
NTHS4166
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
2156-NTHS4166NT1G-OS
ONSONSNTHS4166NT1G
NTHS4166NT1GOSDKR
NTHS4166NT1GOSCT
2832-NTHS4166NT1GTR
NTHS4166NT1GOSTR
NTHS4166NT1G-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
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