NTHD2110TT1G
Numero di Prodotto del Fabbricante:

NTHD2110TT1G

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

NTHD2110TT1G-DG

Descrizione:

MOSFET P-CH 12V 4.5A CHIPFET
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 12 V 4.5A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount ChipFET™

Inventario:

12840645
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NTHD2110TT1G Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
12 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
4.5A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 6.4A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
850mV @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)
±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1072 pF @ 6 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1.1W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
ChipFET™
Pacchetto / Custodia
8-SMD, Flat Lead
Numero di prodotto di base
NTHD21

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
2156-NTHD2110TT1G-ONTR-DG
ONSONSNTHD2110TT1G
2156-NTHD2110TT1G

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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