Numero di Prodotto del Fabbricante:
NTHC5513T1G
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
NTHC5513T1G-DG
Descrizione:
MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Descrizione Dettagliata:
Mosfet Array 20V 2.9A, 2.2A 1.1W Surface Mount ChipFET™
Inventario:
12855870
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NTHC5513T1G Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET, Arrays di MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione
N and P-Channel
Funzione FET
Logic Level Gate
Tensione da drain a source (Vdss)
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
2.9A, 2.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 2.9A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1.2V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
4nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
180pF @ 10V
Potenza - Max
1.1W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitore
ChipFET™
Numero di prodotto di base
NTHC5513
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
NTHC5513T1GOS-DG
NTHC5513T1GOS
ONSNTHC5513T1G
=NTHC5513T1GOSCT-DG
2832-NTHC5513T1G
NTHC5513T1GOSTR
NTHC5513T1GOSDKR
NTHC5513T1GOSCT
2156-NTHC5513T1G-OS
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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