Numero di Prodotto del Fabbricante:
NTGD4167CT1G
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
NTGD4167CT1G-DG
Descrizione:
MOSFET N/P-CH 30V 2.6/1.9A 6TSOP
Descrizione Dettagliata:
Mosfet Array 30V 2.6A, 1.9A 900mW Surface Mount 6-TSOP
Inventario:
928248 Pz Nuovo Originale Disponibile
12857549
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NTGD4167CT1G Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET, Arrays di MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione
N and P-Channel
Funzione FET
Logic Level Gate
Tensione da drain a source (Vdss)
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
2.6A, 1.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 2.6A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
5.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
295pF @ 15V
Potenza - Max
900mW
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacchetto dispositivo fornitore
6-TSOP
Numero di prodotto di base
NTGD4167
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
NTGD4167CT1GOSDKR
2156-NTGD4167CT1G-OS
NTGD4167CT1GOSTR
Q13728537
2832-NTGD4167CT1GTR
NTGD4167CT1G-DG
NTGD4167CT1GOSCT
ONSONSNTGD4167CT1G
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
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