NTD6600N-1G

Numero di Prodotto del Fabbricante:

NTD6600N-1G

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

NTD6600N-1G-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 100V 12A IPAK

Descrizione Dettagliata:

N-Channel 100 V 12A (Ta) 1.28W (Ta), 56.6W (Tc) Through Hole I-PAK

Inventario:

RFQ Online

12930536

Richiedi preventivo

Quantità
Minimo 1

(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore

INVIA

NTD6600N-1G Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore

onsemi

Imballaggio

-

Serie

-

Stato del prodotto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss)

100 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

12A (Ta)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)

5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

146mOhm @ 6A, 5V

vgs(th) (massimo) @ id

2V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs

20 nC @ 5 V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

700 pF @ 25 V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.28W (Ta), 56.6W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

I-PAK

Pacchetto / Custodia

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Numero di prodotto di base

NTD66

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Scheda Dati HTML

Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

75

Altri nomi

2156-NTD6600N-1G-ON

ONSONSNTD6600N-1G

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

1 (Unlimited)

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Prodotti correlati

alpha-and-omega-semiconductor

AOTF11N70

MOSFET N-CH 700V 11A TO220-3F

onsemi

FDD5N50FTF_WS

MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK

onsemi

NVMFS5C604NLWFT3G

MOSFET N-CH 60V 40A/287A 5DFN

onsemi

FDD5N50NZFTM

MOSFET N-CH 500V 3.7A DPAK