Numero di Prodotto del Fabbricante:
NTD60N02RT4G
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
NTD60N02RT4G-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 25V 8.5A/32A DPAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 25 V 8.5A (Ta), 32A (Tc) 1.25W (Ta), 58W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventario:
12842347
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NTD60N02RT4G Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
25 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
8.5A (Ta), 32A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1330 pF @ 20 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1.25W (Ta), 58W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
DPAK
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base
NTD60
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
NTD60N02RT4GOSCT
=NTD60N02RT4GOSCT-DG
NTD60N02RT4GOS
NTD60N02RT4GOS-DG
NTD60N02RT4GOSTR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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