NTD60N02R-1G
Numero di Prodotto del Fabbricante:

NTD60N02R-1G

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

NTD60N02R-1G-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 25V 8.5A/32A IPAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 25 V 8.5A (Ta), 32A (Tc) 1.25W (Ta), 58W (Tc) Through Hole I-PAK

Inventario:

12858397
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NTD60N02R-1G Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
25 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
8.5A (Ta), 32A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1330 pF @ 20 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1.25W (Ta), 58W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
I-PAK
Pacchetto / Custodia
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numero di prodotto di base
NTD60

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
75
Altri nomi
ONSONSNTD60N02R-1G
2156-NTD60N02R-1G-ON

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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