NTD5862N-1G
Numero di Prodotto del Fabbricante:

NTD5862N-1G

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

NTD5862N-1G-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 60V 98A DPAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 60 V 98A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount DPAK

Inventario:

12842544
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NTD5862N-1G Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
98A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.7mOhm @ 45A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
82 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
6000 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
115W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
DPAK
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base
NTD58

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
75
Altri nomi
ONSONSNTD5862N-1G
2156-NTD5862N-1G-ON

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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