Numero di Prodotto del Fabbricante:
NTD4979N-35G
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
NTD4979N-35G-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 9.4A/41A IPAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 30 V 9.4A (Ta), 41A (Tc) 1.38W (Ta), 26.3W (Tc) Through Hole IPAK
Inventario:
12842753
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NTD4979N-35G Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
9.4A (Ta), 41A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
16.5 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
837 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1.38W (Ta), 26.3W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
IPAK
Pacchetto / Custodia
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numero di prodotto di base
NTD4979
Scheda dati e documenti
Scheda Dati HTML
Schede dati
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
75
Altri nomi
ONSONSNTD4979N-35G
2156-NTD4979N-35G-OS
2832-NTD4979N-35G
2832-NTD4979N-35G-488
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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