Numero di Prodotto del Fabbricante:
NTD4960N-35G
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
NTD4960N-35G-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 8.9A/55A IPAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 30 V 8.9A (Ta), 55A (Tc) 1.07W (Ta), 35.71W (Tc) Through Hole IPAK
Inventario:
12840725
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NTD4960N-35G Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
8.9A (Ta), 55A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1300 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1.07W (Ta), 35.71W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
IPAK
Pacchetto / Custodia
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Numero di prodotto di base
NTD49
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
75
Altri nomi
NTD4960N-35GOS
2156-NTD4960N-35G-ON
ONSONSNTD4960N-35G
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IPD090N03LGATMA1
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
94138
NUMERO DI PEZZO
IPD090N03LGATMA1-DG
PREZZO UNITARIO
0.23
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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