NTD3817N-35G

Numero di Prodotto del Fabbricante:

NTD3817N-35G

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

NTD3817N-35G-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 16V 7.6A/34.5A IPAK

Descrizione Dettagliata:

N-Channel 16 V 7.6A (Ta), 34.5A (Tc) 1.2W (Ta), 25.9W (Tc) Through Hole IPAK

Inventario:

RFQ Online

12843479

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NTD3817N-35G Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore

onsemi

Imballaggio

-

Serie

-

Stato del prodotto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss)

16 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

7.6A (Ta), 34.5A (Tc)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13.9mOhm @ 15A, 10V

vgs(th) (massimo) @ id

2.5V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs

10.5 nC @ 4.5 V

Vgs (massimo)

±16V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

702 pF @ 12 V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.2W (Ta), 25.9W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

IPAK

Pacchetto / Custodia

TO-251-3 Stub Leads, IPak

Numero di prodotto di base

NTD38

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Scheda Dati HTML

NTD3817N-35G-DG

Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

75

Altri nomi

2156-NTD3817N-35G-ON

ONSONSNTD3817N-35G

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

1 (Unlimited)

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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