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Domande Frequenti
Numero di Prodotto del Fabbricante:
NTD2955-1G
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
NTD2955-1G-DG
Descrizione:
MOSFET P-CH 60V 12A IPAK
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 60 V 12A (Ta) 55W (Tj) Through Hole IPAK
Inventario:
RFQ Online
12857823
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NTD2955-1G Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
750 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
55W (Tj)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
IPAK
Pacchetto / Custodia
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numero di prodotto di base
NTD2955
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
NTD,NVD2955
Scheda Dati HTML
NTD2955-1G-DG
Schede dati
NTD2955-1G
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
75
Altri nomi
ONSONSNTD2955-1G
NTD2955-1G-DG
NTD2955-1GOS
NTD29551G
2156-NTD2955-1G-OS
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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