NTD2955-1G

Numero di Prodotto del Fabbricante:

NTD2955-1G

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

NTD2955-1G-DG

Descrizione:

MOSFET P-CH 60V 12A IPAK

Descrizione Dettagliata:

P-Channel 60 V 12A (Ta) 55W (Tj) Through Hole IPAK

Inventario:

RFQ Online

12857823

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NTD2955-1G Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore

onsemi

Imballaggio

-

Serie

-

Stato del prodotto

Obsolete

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss)

60 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

12A (Ta)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

180mOhm @ 6A, 10V

vgs(th) (massimo) @ id

4V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs

30 nC @ 10 V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

750 pF @ 25 V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

55W (Tj)

Temperatura

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

IPAK

Pacchetto / Custodia

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Numero di prodotto di base

NTD2955

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Scheda Dati HTML

Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

75

Altri nomi

ONSONSNTD2955-1G

NTD2955-1G-DG

NTD2955-1GOS

NTD29551G

2156-NTD2955-1G-OS

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS

ROHS3 Compliant

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

1 (Unlimited)

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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