Numero di Prodotto del Fabbricante:
NTC040N120SC1
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
NTC040N120SC1-DG
Descrizione:
SIC MOS WAFER SALES 40MOHM 1200V
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 1200 V 60A (Tc) 348W (Tc) Surface Mount Die
Inventario:
12969722
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NTC040N120SC1 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tray
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensione da drain a source (Vdss)
1200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
56mOhm @ 35A, 20V
vgs(th) (massimo) @ id
4.3V @ 10mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
106 nC @ 20 V
Vgs (massimo)
+25V, -15V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1781 pF @ 800 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
348W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
Die
Pacchetto / Custodia
Die
Scheda dati e documenti
Scheda Dati HTML
Schede dati
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1
Altri nomi
488-NTC040N120SC1
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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