Numero di Prodotto del Fabbricante:
NTBG015N065SC1
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
NTBG015N065SC1-DG
Descrizione:
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 145A (Tc) 500W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Inventario:
1459 Pz Nuovo Originale Disponibile
12964257
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NTBG015N065SC1 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
145A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
15V, 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 75A, 18V
vgs(th) (massimo) @ id
4.3V @ 25mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
283 nC @ 18 V
Vgs (massimo)
+22V, -8V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
4689 pF @ 325 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
500W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
D2PAK-7
Pacchetto / Custodia
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
800
Altri nomi
488-NTBG015N065SC1DKR
488-NTBG015N065SC1TR
488-NTBG015N065SC1CT
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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