NTB13N10T4G

Numero di Prodotto del Fabbricante:

NTB13N10T4G

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

NTB13N10T4G-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK

Descrizione Dettagliata:

N-Channel 100 V 13A (Ta) 64.7W (Ta) Surface Mount D2PAK

Inventario:

RFQ Online

12847860

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NTB13N10T4G Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore

onsemi

Imballaggio

-

Serie

-

Stato del prodotto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss)

100 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

13A (Ta)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

165mOhm @ 6.5A, 10V

vgs(th) (massimo) @ id

4V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs

20 nC @ 10 V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

550 pF @ 25 V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

64.7W (Ta)

Temperatura

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Numero di prodotto di base

NTB13

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

800

Altri nomi

NTB13N10T4GOS

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

1 (Unlimited)

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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