Numero di Prodotto del Fabbricante:
NSVMMUN2217LT1G
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
NSVMMUN2217LT1G-DG
Descrizione:
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 246 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventario:
9000 Pz Nuovo Originale Disponibile
12855283
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NSVMMUN2217LT1G Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor bipolare pre-biasato singolo
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
NPN - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100 mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50 V
Resistore - Base (R1)
4.7 kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
10 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
35 @ 5mA, 10V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
250mV @ 1mA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (max)
500nA
Potenza - Max
246 mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-23-3 (TO-236)
Numero di prodotto di base
NSVMMUN2217
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
488-NSVMMUN2217LT1GDKR
NSVMMUN2217LT1G-DG
488-NSVMMUN2217LT1GTR
488-NSVMMUN2217LT1GCT
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
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