NSVBSP19AT1G
Numero di Prodotto del Fabbricante:

NSVBSP19AT1G

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

NSVBSP19AT1G-DG

Descrizione:

TRANS NPN 350V 0.1A SOT223
Descrizione Dettagliata:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 350 V 100 mA 70MHz 800 mW Surface Mount SOT-223 (TO-261)

Inventario:

12856476
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NSVBSP19AT1G Specifiche Tecniche

Categoria
Bipolare (BJT), Transistor Bipolari Singoli
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo di transistor
NPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100 mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
350 V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
500mV @ 4mA, 50mA
Corrente - Taglio collettore (max)
20nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
40 @ 20mA, 10V
Potenza - Max
800 mW
Frequenza - Transizione
70MHz
Temperatura
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
TO-261-4, TO-261AA
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-223 (TO-261)
Numero di prodotto di base
NSVBSP

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
1,000

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Modelli Alternativi

NUMERO DI PARTE
FJT44TF
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
7850
NUMERO DI PEZZO
FJT44TF-DG
PREZZO UNITARIO
0.15
TIPO DI SOSTITUZIONE
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