NSV9435T1G
Numero di Prodotto del Fabbricante:

NSV9435T1G

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

NSV9435T1G-DG

Descrizione:

TRANS PREBIAS PNP 30V 3A SOT223
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 30 V 3 A 110 MHz 720 mW Surface Mount SOT-223 (TO-261)

Inventario:

RFQ Online
12857157
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NSV9435T1G Specifiche Tecniche

Categoria
Bipolare (BJT), Transistor bipolare pre-biasato singolo
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
PNP - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
3 A
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
30 V
Resistore - Base (R1)
10 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
125 @ 800mA, 1V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
550mV @ 300mA, 3A
Corrente - Taglio collettore (max)
-
Frequenza - Transizione
110 MHz
Potenza - Max
720 mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
TO-261-4, TO-261AA
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-223 (TO-261)
Numero di prodotto di base
NSV9435

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
NSB9435T1
Scheda Dati HTML
NSV9435T1G-DG
Schede dati
NSV9435T1G

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
1,000
Altri nomi
2832-NSV9435T1GTR
488-NSV9435T1GCT
488-NSV9435T1GDKR
NSV9435T1G-DG
488-NSV9435T1GTR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
3 (168 Hours)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificazione DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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